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研磨機(jī)的研磨軌跡可以分為那幾種？ 研磨機(jī)在研磨時(shí)運(yùn)動(dòng)軌跡一般來說可以分為以下幾種： 1.平面的研磨軌跡：陶瓷研磨機(jī)作平面研磨時(shí)要求工件表面各點(diǎn)的滑動(dòng)速度和滑動(dòng)路程相等。通過通常只有工平行移動(dòng)的情況下才有可能使磨料的運(yùn)動(dòng)軌跡具有同樣的形式，但其軌跡不重復(fù)的前提下，就能達(dá)到均勻磨削的目的。 2.圓柱面的研磨運(yùn)動(dòng)軌跡：在研磨圓柱而時(shí)，所需要的研磨運(yùn)動(dòng)為工件的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和工具的往復(fù)運(yùn)動(dòng)，或者...

拋光片宜采用怎樣的清洗方法？ 在陶瓷拋光機(jī)拋光硅片后，硅片表面會(huì)產(chǎn)生一些污染主要以：微粗糙度，金屬污染和表面顆粒度以及有機(jī)沾污這些對(duì)器件性能有重大影響。以下簡(jiǎn)單介紹一些清洗方法： 1.微粗糙度.以前一般常用RCV清洗技術(shù)清洗硅片，而在清洗過后硅片表面則會(huì)有較為嚴(yán)重的粗糙化作用。對(duì)于硅片表面的微粗糙度主要是受到RCA清洗工藝和HF清洗的影響，我們可以采用降低氨水含量和極度稀釋H...

在CMP過程中顆粒與拋光片是怎樣相互作用的？ 在陶瓷拋光機(jī)進(jìn)行CMP過程中顆粒與拋光片相互作用；集成電線si襯底，介電層，金屬層等，它們的拋光機(jī)理目前還沒均未得到清楚的認(rèn)識(shí)，在沒有氧化劑條件下或者研磨顆粒條件下的拋光液中進(jìn)行試驗(yàn)都表明不可能得到要求的拋光去除量。CMP過程中的機(jī)械作用通過在兩種典型的接觸模式下存在，即流體動(dòng)力學(xué)模型和固體接觸模型，當(dāng)拋光表面承受壓力較小，相對(duì)速度較大時(shí)，在拋...